伊利诺伊大学的Milton Feng和Walid Hafez研制出了世界上运行频率最快的晶体管，为下一代超级集成电路铺平了道路。
他们的研究成果是在双极性晶体管的PN结掺杂磷化铟和铟-砷化镓单晶，制造出了五十万分之一毫米（2纳米）大小，最高运行频率可达604G的晶体管。其原理是利用材料上的变化来改造晶体管集电极的晶体结构，使之能更有效地为电子流提供通路。
“小心地控制铟的浓度，就能使电子在集电区运动得更快，运行距离也更远”，Walid Hafez解释道。他承认目前的研究成果离实际应用还有一定距离，而且对于集成电路中更常见的场效应管，这种掺杂手法可能无法达到类似效果，但他同时强调这不是大问题。
《微处理器月刊》的总编Kevin Krewell认为这种个成果可能更适用于无线电接收装置，“更高的频率也就意味着能对信号作更多的变换”，他评论道。