，是一种重要的电子元件。它由一个半导体材料制成，可以调节电流的流动，被广泛应用于电路的放大和开关控制。

　　是两种不同的半导体器件，它们的工作原理和应用场合各有不同。虽然这两种器件都属于半导体器件，但它们在制造、结构、特性和应用方面有着显著的区别，下面将详细介绍

　　的两种元器件，它们都是半导体器件，用于放大和控制电流的流动。虽然它们在某些方面可能有一些相似之处，但它们也有很多明显的不同点。下面将会详细

　　的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流

　　是一种电子元件，它可以控制电流或电压，通过改变极化层的电场来控制电流或电压。根据其结构特点分为MOSFET（金属氧化物半导体

　　MOSFET 是具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子的四端子器件。通常，

　　，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型

　　（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型

　　（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型