欧盟提出力争在2030年前将碳排放水平降低62%。也就是说,要在7年时间内实现这一目标。显然,全球朝着可再生能源迈进已成必然趋势,全世界都在探索如何利用可再生能源来满足能源需求,同时降低碳排放。就可再生能源和储能系统而言,有许多幕后功臣在为生产可再生能源默默付出。
“浣沙淘金,模拟论芯”,2023年9月14日,由全球知名电子科技媒体电子发烧友网主办的2023第五届模拟半导体大会在中国深圳成功举办。本次会议邀请到来自思瑞浦、杰华特微电子、智芯微、泰克科技、凹凸科技、纳芯微、珠海智融、芯海科技、茂睿芯、润石科技等行业内领先的模拟半导体企业专家,分享各自在模拟半导体领域的最新技术进展以及市场动向,共同推动模拟半导体行业的进步。 纳芯微:中国模拟芯片公司在汽车和工业新能源领域的崛起
“浣沙淘金,模拟论芯”,2023年9月14日,由全球知名电子科技媒体电子发烧友网主办的2023第五届模拟半导体大会在中国深圳成功举办。本次会议邀请到来自思瑞浦、杰华特微电子、智芯微、泰克科技、凹凸科技、纳芯微、珠海智融、芯海科技、茂睿芯、润石科技等行业内领先的模拟半导体相关企业专家,分享各自在模拟半导体领域的最新技术进展以及市场动向,共同推动模拟半导体行业的进步。 电子发烧友网总经理张迎辉在开幕致辞中表示,从201
与等效硅基解决方案相比,氮化镓基HEMT的开关更快、热导率更高和导通电阻更低,因此在电路中采用氮化镓晶体管和集成电路,可提高效率、缩小尺寸并降低各种电源转换系统的成本。
GaN因其特性,作为高性能功率半导体材料而备受关注,近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型:水平型(在硅晶圆上生长GaN晶体)和垂直型(原样使用GaN衬底)。
前来看,在未来一段时间内,6英寸导电型产品将作为主流尺寸,但随着技术的进步、基于成本和下游应用领域等因素考虑,8英寸导电型碳化硅产品将是碳化硅衬底行业的发展趋势。最终的周期将取决于技术的进度、下游市场的发展情况等多方面因素。
近年来,氧化镓(Ga2O3)半导体受到世界各国科研和产业界的普遍关注。氧化镓具有4.9 eV的超宽禁带,高于第三代半导体碳化硅(SiC)的3.2 eV和氮化镓(GaN)的3.39 eV。
近日,意法半导体与知名汽车Tier 1制造商博格华纳达成了一项重要战略合作协议。该协议旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件,以升级博格华纳的车规功率模块。
调查结果显示,SiC、GaN(氮化镓)等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件,市场正在稳步扩大。
氮化镓半导体激光器具有体积小、寿命长、效率高等优点,波长范围覆盖可见光和紫外波段,应用场景包括激光显示、工业加工、激光照明、激光通讯、激光医疗等众多领域,近年来总体市场需求呈现较高的复合增长趋势。由于氮化镓激光技术壁垒较高,长期被国外少数企业垄断,我国企业需求全部依赖进口。
随着全球特别是中国新能源汽车市场渗透率的快速提升,强劲的上车需求叠加巨大的产能缺口,碳化硅这条“赛道”愈发呈现出欣欣向荣之势。
分立晶体管是电子设计中最常见的元器件之一。该产品适用于众多应用,从简单的小信号晶体管到大型高功率器件,以及高频/高功率器件。
当前,全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势,碳化硅材料七成以上来自美国公司,欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链,日本则在碳化硅芯片、模块和应用开发方面占据领先优势。
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