美国专家最近研制出世界上最快的晶体管，打破了以往的纪录。美国伊利诺伊大学Urbana-Champaign分校的科学家让这些晶体管运行在845GHz上，比之前最快的晶体管高了将近300GHz。
伊利诺伊大学的Milton Feng教授表示这些用磷化铟与砷化镓铟的新型晶体管采用了用了伪晶基部和集电极区域的坡度效应，“这些部分的化学坡度增强了电子的速度，从而减小了电流密度和充电时间”。
Feng表示，最先进的设备使晶体管进入到了一个新的高速阶段，THz级别晶体管的“圣杯”伸手可及。另一方面，这种新技术制造出来的晶体管也能有更小的体积，基部仅为12.5纳米，这在应用方面也具有重大的意义。
在普通室温（25℃）下，晶体管的速度为765GHz；冷却到-55℃时，晶体管的速度达到845GHz。研究小组准备进一步降低电流密度，这样它对温度的要求会变得更低。