虽然英特尔高层放言芯片代工将走向穷途末路，但是，台联电却不这么认为，其高层Stan Hung表示芯片代工有着积极乐观的前景。

　　在今年5月底，有关媒体报道，台联电斥资80亿建造300mm Fab 12A phase 5和6工厂。如今，又在积极的进行3D晶体管的研发，获得IBM的FinFET技术专利授权。

　　FinFET晶体管，通常也叫3D晶体管，目前有许多企业和科研机构都在研究3D晶体管FinFET技术。传统标准的晶体管场效晶体管 (Field-effecttransistor；FET)，其控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。而FinFET则是一种3D结构，全名为FinField-effecttransistor，鳍式场效晶体管。通过类似鱼鳍的叉状3D架构的闸门，来控制电路的接通与断开。

　　我们来看在IDF2012大会上，英特尔官方给出的22nm三栅极晶体管结构图，是采用3D结构的闸门（英特尔中文翻译为栅），来实现晶体管电路的接通与闭合。在英特尔官方介绍中，也用到了“鳍”这一个字来形容闸门。