IT之家 3 月 29 日消息，来自奥地利维也纳工业大学的科研团队近日开发出新型晶体管技术--可重构场效应晶体管（RFET），

　　传统的晶体管开发和生产过程中有一道“化学掺杂”的步骤，就是为纯的本质半导体引入杂质，从而改变电气属性的过程。掺杂过程决定了电流的流动方向，一旦晶体管被制造出来就无法改变。

　　静电掺杂替代复杂而昂贵 的化学掺杂过程之后，晶体管就可以动态地重新配置，以执行不同的逻辑运算。

　　研究人员表示 RFET 是电子电路和芯片设计技术的重大突破。RFET 和当前半导体工业一样，使用硅和锗两种材料，但可以显著改善功耗和能效。

　　研究人员于 2021 年开发出了 RFET 基本技术，现在他们已经证明，RFET 可用于构建芯片中的所有基本逻辑电路。

　　最近发表的研究报告展示了 RFET可用于生产逆变器、NAND / NOR 和 XOR / XNOR 门，它们能够在运行时动态切换工作模式。