如今，碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体风头正盛。但在此之前，绝缘栅双极晶体管 (

　　许多现代化焊接机使用逆变器，而非焊接变压器，因为直流输出电流可以提高焊接工艺的控制精度。更多优势还包括直流电流比交流电流更安全，并且采用逆变器的焊接机具有更高的功率密度，因此重量更轻。

　　焊接逆变器常用的开关拓扑结构包括全桥、半桥和双管正激，而恒定电流是最常用的控制方案。全桥和半桥拓扑结构的IGBT开关频率通常在 20 至 50 kHz 之间。

　　电磁炉的原理是，通过励磁线圈迫使电流在高磁导率材质的锅内循环。然后，逆变器将电流导入铜线圈，从而产生电磁场。电磁场穿透锅底，产生电流，使锅升温。

　　基于谐振电路的拓扑结构是最常用的，原因是它们能支持高频开关而不影响效率，最常见的是谐振半桥 (RHB) 转换器和准谐振 (QR) 逆变器。RHB 的优点是它的负载工作范围很大，并且能够提供超高功率。而 QR 成本较低，非常适合中低功率范围（峰值功率不超过 2 kW）。

　　半桥转换器 (HB) 是电机驱动应用中一种常见的拓扑结构，频率介于 2kHz 至 15kHz 之间。

　　对于不间断电源 (UPS)和太阳能逆变器这样的应用，需要设计出具有多个电压电平的新拓扑结构来打破这些局限。常见结构包括单极性开关 I 型和 T 型转换器，它们能够在较高的母线电压下工作。此外，输出状态增多，整个滤波器的电压会相应减小，因此可以使用更小的组件。由于开关损耗更低，这些拓扑结构非常适用于更高的频率（16kHz 至 40kHz），并具有出色的效率表现（约 98%）。

　　尽管 IGBT 已经问世了很长一段时间，并且它仍是许多高电压和大电流应用的理想之选。然而，它们不仅出现在常规设计中，而是越来越多地被用于新的设计。这是因为最近推出的器件具有新颖的结构，它们通过提升电流密度和降低开关损耗，将Vcesat 降得更低（接近 1V）。要最大限度地发挥使用 IGBT 的优势，就必须了解应用要求并选择正确的电路拓扑结构。

　　安森美(onsemi)推出的1200 V 沟槽场截止 VII (FS7) IGBT，以出色的性能将导通损耗和开关损耗尽可能降低。

　　这款全新 1200 V 器件具有优秀的导通和开关性能。FGY75T120SWD是现有 1200 V IGBT 中开关性能最好的产品之一。FGY100T120RWD在 100 A 额定电流下的Vcesat低至 1.45 V，比上代器件改进了 0.4 V。这些新器件旨在提高快速开关应用的效率，主要用于能源基础设施应用，例如太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、储能和电动汽车充电电源转换。这款全新 1200 V 沟槽场截止 VII (FS7) IGBT 可用来将输入电压提升至高压（升压级），和用于为高开关频率能源基础设施应用提供交流输出的逆变器。FS7 器件的低开关损耗可实现更高的开关频率，减小磁性组件的尺寸，提高功率密度并降低系统成本。在大功率能源基础设施应用中，FS7 器件的正温度系数易于实现并联工作。