（金属氧化物半导体场效应晶体管）和双极型晶体管的特性。IGBT既具有MOSFET的高输入阻抗和控制能力，又具有双极型晶体管的高电压和高电流承受能力。因此，IGBT广泛应用于高功率和

　　IGBT是一种双极型设备，具有三个电极：栅极（G），集电极（C）和发射极（E）。栅极用于控制电流流经器件的能力，集电极用于承受高压电，发射极用于电流的注入。

　　IGBT的内部结构主要由P型衬底、N+区、N区、绝缘层和栅极组成。这些结构确定了IGBT的特性和性能，使其成为功率电子领域中非常重要的器件。

　　（1）开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力MOSFET相当;

　　（5）与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。

　　（6）IGBT往往与反向并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件。目前还有多管模块和IPM （IGBT+控制和保护电路）。

　　IGBT模块（IGBT module）是由一个或多个IGBT晶体管、驱动电路和保护电路组成的封装器件。IGBT模块常用于高功率应用中，具有以下作用和功能：

　　1. 功率开关：IGBT模块能够控制高电压和高电流，作为功率开关用于控制电路的导通和关断，实现电流的控制和电压的转换。它可以在高压和高频率下快速地开启和关断电路，从而实现高效的能量转换。

　　2. 电流放大：IGBT模块具有高电流承受能力和低导通电压降特性，可以承受较大的电流并放大电流信号，用于电力传输和驱动负载。

　　3. 电路保护：IGBT模块通常包含保护电路，监测电流、电压和温度等参数，以避免过流、过压和过温等故障。它可以提供短路保护、过热保护和过流保护等功能，确保设备的安全运行。

　　4. 精确控制：IGBT模块可以通过外部驱动电路精确地控制IGBT晶体管的开关特性，根据需求调整导通和关断时间，以实现精确的电流和功率控制。

　　5. 整合性设计：IGBT模块将多个IGBT晶体管、驱动电路和保护电路集成在一个封装中，简化了电路设计和布局，节省了空间和成本。

　　IGBT模块在各种应用中被广泛使用，包括电力传输与分配、可再生能源发电系统、电动汽车驱动系统、、电焊设备和高压电源等。通过控制和转换电流和电压，IGBT模块提供了高效、精确、可靠的功率控制和转换功能。