很多时候，我们在初期设计或者优化电路时，满脑子想的都是性能如何能一点一点提高，而忽略了所谓的模拟设计的一些基本考虑;待到版图设计时已经晚矣。那个时候再去修改基本设计无疑是不值得，要么耗费精力，要们前功尽弃。作为教训，如果我们能够在设计初期，就带着这些基本考虑，那么在选择基本器件的时候，就会有的放矢，知道一个大概的合理的选取范围，有利于版图设计和优化。

　　4. 电流镜电路的晶体管的w/l比应小于或等于5，以保证较好的Matching,否则会有系统失调。

　　6. 首先先用tt做电路仿线% (fast),需要对工艺角考虑，FF，SS，FS，SF。除Vt，其他工艺参数也会有变化。

　　7.多晶硅电阻大约有20%的工艺变化，而阱区电阻变化约为10%。但多晶硅电阻有较低的温度系数和低的方块电阻，应根据需要来选择电阻。多晶硅电容约有10%工艺变化。

　　12.尽量使用metal1横向布线纵向布线. 在互连用来传送电流时，不要用Poly来做互连。可以用poly做短的栅连接。

　　16. 在最上层金属做电源(VDD和GND)布线。因为最上层金属通常更厚、更宽，因而电阻较小。

　　25. 为避免Latch-up，应使PN结反偏，如N-Well应连到正电源，P-Well应连到负电源。这样可减小漏电。