在过去的 75 年里，晶体管技术最明显的变化就是我们能制造多少。正如这些图表所示，减小设备的尺寸是一项巨大的努力，而且非常成功。但尺寸并不是工程师一直在改进的唯一特征。

　　1947年，只有一个晶体管。根据 TechInsight 的预测，半导体行业今年有望生产近 20 亿万亿 (1021) 台设备。这比 2017 年之前所有年份累计制造的晶体管数量还要多。在这个几乎无法想象的数字背后，是晶体管价格的持续下降，因为工程师们已经学会将越来越多的晶体管集成到同一硅片区域。

　　缩小硅平面二维空间中的晶体管取得了巨大的成功：自 1971 年以来，逻辑电路中的晶体管密度增加了 600,000 多倍。缩小晶体管尺寸需要使用更短波长的光，例如极紫外光，以及其他光刻技巧可以缩小晶体管栅极之间和金属互连之间的空间。展望未来，它是第三维度，晶体管将在另一个维度上构建，这很重要。这种趋势在闪存领域已有十多年的历史，但在逻辑领域仍处于未来。

　　也许所有这些努力的最高成就是能够将数百万甚至数十亿个晶体管集成到地球上一些最复杂的系统中：CPU。我们从下图看一下晶体管的发展历程。

　　除了使它们变得小巧和数量众多之外，工程师们还致力于提高设备的其他品质。以下是晶体管在过去 75 年中发展的一小部分示例：

　　伊利诺伊州的研究人员使用超薄硅膜、镁导体和氧化镁绝缘体的组合开发了可溶解在体内的电路。在水中五分钟足以将第一代产品变成糊状。但最近研究人员使用了一种更耐用的版本来制造临时心脏起搏器，当它们消失时会释放一种抗炎药物。

　　第一个晶体管是为无线电频率而制造的，但现在有一些设备的工作频率约为这些频率的十亿倍。韩国和日本的工程师报告称发明了一种最高频率可达 738 GHz 的砷化铟镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)。Northrop Grumman 的工程师为了寻求原始速度，制造了一个超过 1 太赫兹的 HEMT。

　　今天（和昨天）的晶体管取决于块状 (3D) 材料的半导体特性。明天的设备可能依赖二维半导体，例如二硫化钼和二硫化钨。研究人员说，这些晶体管可能内置在处理器硅上方的互连层中。所以 2D 半导体可以帮助产生 3D 处理器。

　　世界不是平的，晶体管需要运行的地方也不是平的。韩国工程师最近使用砷化铟镓在塑料上制造了高性能逻辑晶体管，弯曲半径仅为 4 毫米时几乎不会受到影响。伊利诺伊州和英格兰的工程师已经制造出既经济又可弯曲的微。

　　当您需要将计算隐藏在众目睽睽之下时，请使用透明晶体管。中国福州的研究人员最近使用有机半导体薄膜晶体管制作了一种透明的闪存模拟物。日本和马来西亚的研究人员生产了能够承受 1,000 伏以上电压的透明金刚石装置。

　　NAND 闪存单元可以在单个设备中存储多个位。今天市场上的那些存储每个 3 或 4 位。Kioxia Corp. 的研究人员构建了一个改进的 NAND 闪存单元，并将其浸泡在 77 开尔文的液氮中。一个超冷晶体管最多可以存储7 位数据，或 128 个不同的值。

　　2018 年，加拿大的工程师使用一种算法生成了所有可能的独特功能性基本电路，这些电路只需使用两个金属氧化物场效应晶体管即可制作。电路总数达到惊人的582。将范围扩大到三个晶体管，得到了 56,280 个电路，其中包括几个以前不为工程人员所知的放大器。

　　一些晶体管可以承受超凡脱俗的惩罚。NASA 格伦研究中心构建了200 个晶体管碳化硅 IC，并在模拟金星表面环境的腔室中运行了 60 天——460 °C 的高温、行星探测器压碎的 9.3 兆帕压力以及地狱般的行星腐蚀性气氛。

　　东京 东芝公司（TOKYO：6502)旗下半导体与存储产品公司今日宣布，推出一款采用低高度SO6L封装的低输入电流驱动晶体管输出光电耦合器，该产品可用于代替传统的DIP4引脚封装产品。新产品 TLP383 出货即日启动。 这款新产品融合了东芝的原始高输出红外线mA输入电流时实现相同的CTR（电流传输比）。 这款新的光电耦合器拥有较低的高度2.3mm（最高），高度比东芝传统的DIP4型封装产品降低了约45%。同时，新产品的绝缘规格与DIP4宽引线型封装产品相当，可保证8mm（最小）的爬电距离和电气间隙以及5000Vrms（最低）的绝缘电压。低高度使 TLP383 可用于具有严格高度

　　集微网12月2日消息，今天小米创办人，董事长兼CEO雷军在微博公布了骁龙888的开箱图，能看到芯片上印有SM8350的代号。 雷军表示，这块小小的芯片，拥有了百亿级的晶体管，汇集多种尖端科技，这是高通迄今 据悉，骁龙888采用第六代高通AI引擎，包含全新设计的高通Hexagon处理器，AI性能和能效均得到大幅提升，每秒可处理26万亿次AI运算。 骁龙888采用新一代GPU，有史以来最显著的性能提升。Elite Gaming已经推出GPU驱动更新、端游级正向渲染等一系列创新技术，领先行业。第三代Elite Gaming再升级，为Adreno GPU带来有史以来最显著的性能提升。 骁龙888采用新一代ISP图像处理器，全新

　　早在2016年9月，NVIDIA就公布了名为Xavier的全新的八核处理器架构，将会采用NVIDIA最新的Volta GPU。 而继去年拿出了 Xavier 车用 AI 超级电脑后，在这次的 CES 上他们又再发布了全新的 Xavier SoC。 这款产品采用 8 颗定制的 CPU 核心和 512 核心的 Volta GPU，拥有超过 90 亿个晶体管，具有30 TOPS 的运算力，但功耗却仅有30W。按照英伟达工程师的说法，它比帕斯卡架构运算效率高15倍。 同时它还配备了 8K HDR 影像处理器，以及深度学习加速器和新的机器视觉加速器，将成为NVIDIA自主车辆DRIVE Pegasus AI平台的基础。

　　可控脉冲发生器电路图 /

　　摘要： ULN2000、ULN2800是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品，具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能力强等特点，适应于各类要求高速大功率驱动的系统。ULN2003A电路是美国Texas Instruments公司和Sprague公司开发的高压大电流达林顿晶体管阵列电路，文中介绍了它的电路构成、特征参数及典型应用。     关键词： 达林顿晶体管阵列  驱动电路  ULN2003  ULN2000系列  ULN2800系列 1 概述 功率电子电路大多要求具有大电流输出能力，以便于驱动各种类型的负载。功率驱动电路是功率电子设备输出电路的一个重要组成部分

　　本报合肥11月1日电（记者孙振）记者日前从中科大获悉：该校郭国平教授研究组与日本科学家合作，首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件。这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。最新一期国际权威学术期刊《科学·进展》发表了该成果。 经过几十年发展，半导体门控量子点作为一种量子晶体管，已成为制备量子芯片的热门候选体系之一。以石墨烯为代表的二维材料体系，因其天然的单原子层厚度、优异的电学性能、易于集成等优点，成为柔性电子学、量子电子学的重点研究对象。但由于其能带结构、界面缺陷杂质等因素，使得二维材料中的量子点无法实现有效的电学调控。 郭国平研究组与日本国立材料研究所、日本理化研究所科学家合作，选择新型二维

　　去年11月份，Cadence针对电源的签收收敛推出了Voltus IC电源完整性解决方案，作为一款电源签收（signoff）方案，它致力于从模块及IP层面为IC 电源在调试、验证、IR下降、金属导线电迁移、补偿漏电等方面提供准确、高效的分析与技术。自问世以来至今，赢得了良好的市场反响。正如Cadence公司的芯片签收与验证部门产品营销总监Jerry Zhao所说，“Voltus IC的市场情况非常好，一些公司已经在使用，还有一些公司正在进行使用前的评估。如果客户要买这种产品，那么起码要评估一个季度。而我们这个Tool才出来两个季度。所以现在在中国的话反响非常非常好。” 然而，IC电源签收的挑战不仅仅来自模块、线路层面，晶

　　级电源签收方案Voltus-Fi /

　　外接晶体管的扩流电路 图中是外接晶体管的扩流电路，外接PNP晶体管YT和片内P沟道晶体管构成达林顿管，输出电流较大时，输入输出电压差必须大于1.0V，另外输出电流还随条件不同可能达到500MA以上,但片内无输出保护电路,适用时必须注意,电路消耗电流也很小,约为1.5UA.

　　的扩流电路 /

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