等效模型相同，将场效应管也看成一个两，栅极与源极之间看成输入端口，漏极与源极之间看成输出端口。

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　　，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪声小、功耗低、

　　— 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量

　　来控制输出电流的大小，其输入端pn一般工作于反偏状态或绝缘状态，输入电阻很高，栅极处于绝缘状态的

　　si2301（p沟道）栅极D1接单片机引脚，电源接源极（s），输出端漏极（d）接一个DCDC然后接负载。问题是，单片机引脚低电平时，输出端(d)确实为高电压，但是单片机引脚高电平时。输出端为0.69v，并没有完全关断。这是

　　U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量

　　40N120抗辐射能力强；（6）由于40N120没有杂乱的运动电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低

　　也被称为MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体

　　计划用IRF9630和IRF630N,控制部分采用单片机接光耦来驱动，但是光耦选哪种以及光耦驱动

　　,但不知道具体C1，c2,R1,R2等原件的具体取值应该是多少，请高手帮忙计算一下，谢谢了，比较急。

　　的输出特性曲线主要分为可变电阻区和恒流区，可变电阻区是靠近纵轴的区域，恒流区是面积最大的那个区域，怎么判断

　　，阶跃时间变得很长，是不是需要增大前级驱动电流，就能减小阶跃时间，或者还有其他方法吗，我看米勒

　　MOSFET 是具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子的四端子器件。通常，

　　，也被称为晶体管，是一种重要的电子元件。它由一个半导体材料制成，可以调节电流的流动，被广泛应用于

　　是一种常用的电子元件，其特点是控制端电流小、输入电阻高、功耗低等优点，广泛应用于电子设备中。