单结晶体管，英文名称为Unipolarjunctiontransisor，简写为UJT，是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件，其基片为条状的高阻N型硅片，两端分别引出两个基极b1和b2，在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。因此在早期也将其称为双基极二极管，现在简称为基极二极管。单结晶体管的结构、符号及其等效电路如下图所示。

　　观察单结晶体管的特性，首先在两个基极之间加电压UBB，如图a所示;再在发射极E和第一基极B1之间加上电压UE，UE可以用电位器RP进行调节，如图b所示(将单结晶体管用一个PN结和二个电阻RB1、RB2等效构成)。

　　1、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通。导通之后，当发射极电压小于谷点电压UV时，单结晶体管就恢复截止。

　　2、单结晶体管的峰点电压UP与外加固定电压UBB及其分压比有关。而分压比是由管子结构决定的，可以看做常数。对于分压比不同的管子，或者外加电压UBB的数值不同时，峰值电压UP也就不同。

　　3、不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都不一样。谷点电压大约在2~5V之间。在触发电路中，常选用稍大一些、UV低一些和IV大一些的单结管，以增大输出脉冲幅度和移相范围。

　　当UE=UBB+UD时，单结晶体管内在PN结导通，发射极电流IE突然增大。把这个突变点称为峰点P，对应的电压UE和电流IE分别称为峰点电压UP和峰点电流IP。

　　当发射极电流IE增大到某一数值时，电压UE下降到最低点。特性由线上的这一点称为谷点V，与此点相对应的是谷点电压UV和谷点电流IV。