中的欠压／过压闭锁，并利用电阻分压器调整电源欠压和过压闭锁阈值，同时透过导入迟滞设计来提高整个电路抗噪声能力。在电子设备的实际应用中，可能会遇到输入电压不稳的情况。例如使用电池的可携式设备应用，输入电压Vin可能很难保持非常稳定。为了防止电压过低或过高影响后续电路，有时有必要增加欠压／过压‧ 欠压闭锁（UVLO）：输入电压达到某一阈值，后续电路导通，可防止下游电子系统在异常低的电源电压下工作。‧ 过压闭锁（OVLO）：输入电压超过某一阈值，后续电路断开，可保护系统免受极高电源电压的影响。来实现欠压／过压闭锁，并利用电阻分压器调整电源欠压和过压闭锁阈值，同时透过导入迟滞设计来提高整个电路抗噪声能力。当输入电压从0 V开始上升到UVLO阈值电压之前，功率开关保持断开状态；超过UVLO阈值电压，功率开关导通，整个电路正常工作。当输入电压从0V到UVLO阈值电压，电路断开；从UVLO阈值电压到OVLO阈值电压，电路导通；超过OVLO阈值电压，电路断开。当栅极（G）电压为低电压（例如：0 V）时断开（高电阻）。当栅极（G）电压为高电压时导通，为了完全导通（低电阻）N沟道MOS晶体管，栅极（G）电压必须比源极电压（S）高出MOS晶体管阈值电压。而导通时，MOS晶体管源极（S）与漏极（D）电压一致，也就是要求栅极（G）电压必须比电源电压高出MOS晶体管阈值电压。因此，这需要使用电荷泵来解决这个问题。当然，使用一些专用的欠压／过压保护芯片—例如LTC4365、LTC4367和LTC4368整合了比较器和电荷泵。可驱动N沟道MOSFET，同时静态功率消耗较低。P沟道MOSFET不需要使用电荷泵，但闸极电压极性相反；亦即低电压时开关导通，而高电压时断开P沟道MOS晶体管。对于上述应用，如果输入电压上升缓慢并且有噪声，或者在电池的应用场景中，电池本身的内阻导致电压随着负载电流变大而下降，比较器输入电压可能会在阈值电压附近波动。为了避免这种类型的波动导致电路的反复振荡，需要导入迟滞来避免这种振荡。比如使用有磁滞的比较器，或者加一些被动组件来实现磁滞功能，进而提高比较器抗噪声能力。‧ 增加RH= 100 × RB，则上升输入阈值为11.1V，下降阈值为10.09V；亦即迟滞为1.01V。注意该方法对OVLO无效。如果过压OVLO需要带有迟滞功能，该如何实现呢？增加迟滞的另一个方法是，可以加一个开关来改变底部电阻有效值。这模拟较器会针对上升输入（例如：V +窗口宽度/2）和下降输入（例如：V - 窗口宽度/2）提供不同的阈值。图7 : 带磁滞功能比较器的输入输出关系（source：ADI LTC1042CN8#PBF数据手册）依据比较器的相同控制电路，利用电阻分压器，可以轻松实现欠压和过压电路设计。面对电源噪声，可以使用带有迟滞功能的比较器，也可以调节回馈来实现迟滞功能，以防止电源超过阈值时出现电源开关打开和关闭颤振。（本文由Digi-Key Electronics提供；作者Alan Yang任职于得捷电子Digi-Key）