Intel表示，此前的工艺节点命名规则始于1997年，都是以实际的栅极宽度来定义(xxnm)，但是近些年来，工艺命名和栅极宽度已经不匹配，因此Intel启用了新的命名方式，便于产业、客户、消费者理解。

　　Intel 4工艺全面引入EUV极紫外光刻，能效比再提升大约20％，明年下半年投产，2023年产品上市。

　　首发消费级产品是Meteor Lake，已在今年第二季度完成计算单元的六篇，数据中心产品则是Granite Rapids。

　　今天的会议上，Intel也首次展示了Meteor Lake的测试晶圆，除了新工艺还有Foveros 3D立体封装。

　　这一代，也将是Intel消费级处理器第一次放弃完整的单颗芯片，引入不同工艺、不同IP的模块，借助新的封装技术，整合在一起。

　　再往后，Intel 3工艺进一步优化FinFET、提升EUV，能效比继续提升大约18％，还有面积优化，2023年下半年投产。

　　之后就是后纳米时代了，工艺命名又改了新的规则，首先是Intel 20A，拥有两项性技术，RibbonFET就是类似三星的GAA环绕栅极晶体管，PoerVia则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。2024年投产。